William Bradford Shockley

Assieme a John Bardeen e Walter Houser Brattain fu insignito, nel 1956, del premio Nobel per la fisica per "''le loro ricerche sui semiconduttori e la scoperta dell'effetto transistor''".

L'esperimento di Haynes e Shockley, che dimostrò la possibilità di iniettare lacune in una barretta di germanio mediante un contatto a punta, misurandone mobilità e vita media, fu il precursore del primo "transistor a filamento" e diede il via alla moderna elettronica dei semiconduttori.

Gli sforzi intrapresi da Shockley per commercializzare un nuovo design di transistor negli anni cinquanta e sessanta portarono alla creazione della ''Silicon Valley'' in California, che sarebbe così divenuta uno dei centri nevralgici per lo sviluppo dei dispositivi a semiconduttore. da Wikipedia