Atomistic simulation of nanoscale MOSFETS in the ballistic regime of operation

Detalles Bibliográficos
Autores principales: George James, T; Researcher, Vincent Mathew; Guide
Formato: Ph.D Thesis
Publicado: Kottayam, Mahatma Gandhi University 2012
Edición:Ph.D
Materias:
Dissertations, Academic (Ph.D)
Metal oxide semiconductor field-effect transistors
MOSFET
Thesis (Ph.D)-Physics

MG University

Detalle de Existencias desde MG University
Número de Clasificación: 621.381 52 Q2
Copia Estatus de actividad no disponible

Ejemplares similares