Okuyama, M., & Ishibashi, Y. (2005). Ferroelectric thin films: Basic properties and device physics for memory applications. Springer.
Trích dẫn kiểu ChicagoOkuyama, Masanori, và Yoshihiro Ishibashi. Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. Berlin: Springer, 2005.
Trích dẫn MLAOkuyama, Masanori, và Yoshihiro Ishibashi. Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. Springer, 2005.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.