Okuyama, M., & Ishibashi, Y. (2005). Ferroelectric thin films: Basic properties and device physics for memory applications. Springer.
Chicago-tyylinen lähdeviittausOkuyama, Masanori, ja Yoshihiro Ishibashi. Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. Berlin: Springer, 2005.
MLA-viiteOkuyama, Masanori, ja Yoshihiro Ishibashi. Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. Springer, 2005.
Varoitus: Nämä viitteet eivät aina ole täysin luotettavia.