CMOS circute design, lay out and simulation

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Baker, R. Jacob
Weitere Verfasser: Li, Harry W. Boyce, David E.
Format: Printed Book
Sprache:English
Veröffentlicht: New Delhi Prentice-Hall of India 2000
Schlagworte:
METAL OXIDE SEMICOUNDUCTORS, COMPLEMENTAL - DESIGN AND CONSTRUCT > CMOS (Complementary Metal Oxide Semi-conductor) > Complementary Metal Oxide Semi-conductor (CMOS)

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Bestandesangaben von UL
Signatur: 621.3.049.77 BAK;1
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