Cargando...

Imperfections and active centres in semiconductors.

Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Rhodes, R. G.
Formato: Printed Book
Idioma:English
Publicado: Oxford, Pergamon Press, 1964.
Series:International series of monographs on semiconductors ; v. 6.
Subjects:
LEADER 00729nam a22001811 4500
005 20200810153407.0
008 831011s1964 enka b 000 0 eng
082 0 0 |a 541.377  |b ROD 
100 1 |a Rhodes, R. G.  |9 5881 
245 1 0 |a Imperfections and active centres in semiconductors. 
300 |a xii, 373 p.  |b illus., diagrs.  |c 24 cm. 
490 1 |a International series of monographs on semiconductors,  |v v. 6 
653 |a Semiconductors  |a Crystallography 
942 |c BK  |6 _ 
260 |a Oxford,  |b Pergamon Press,  |c 1964. 
830 0 |a International series of monographs on semiconductors ;  |v v. 6.  |9 5880 
999 |c 213535  |d 213535 
952 |0 0  |1 0  |2 ddc  |4 0  |6 541377_ROD  |7 0  |9 272208  |a PHY  |b PHY  |d 2010-03-09  |o 541.377 ROD  |p phy001543  |r 2018-05-17  |w 2018-05-17  |y BK